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高效去除微粒，不損傷表面。
*適用於高深寬比結構。

超臨界清洗技術利用超臨界流體的獨特物理化學性質進行清洗。超臨界流體具有類似氣體的低黏度和高擴散率，以及類似液體的高溶解能力，使其成為理想的清洗介質。應用領域如
半導體製造
• 光刻膠去除：從厚膜光刻膠到納米級光刻膠的去除
• 高深寬比結構清洗：適用於3D NAND、TSV、濾心等複雜結構
• 金屬污染物去除：開發專門針對金屬離子污染的清洗工藝

精密光學
• 光學鏡片清洗：從大型望遠鏡鏡片到微型光學元件
• 光纖端面清潔：用於高性能光通信元件製造
航空航天
• 精密機械部件清洗：用於航空發動機零件的清洗
• 複合材料製造：在碳纖維複合材料生產中的應用
醫療器械
• 植入物清洗：確保醫療植入物的超高清潔度
• 藥物遞送系統：用於製備藥物載體微粒

在先進製程中，分子汙染將是未來重要的考慮的東西，化學品、水及空氣的膠體汙染物，都必須要移除，濾心設計不會從越小越好，要如何將膠體過濾掉。

半導體行業的廢氣具有以下特點：低濃度、多組分、含有特殊化學物質（如有機矽化合物）。因此，專用光觸媒材料的開發主要集中在：
- 改性TiO2：通過摻雜金屬離子（如Fe、Cu）或非金屬元素（如N、S）來提高可見光響應和催化活性。
- 非TiO2基材料：如WO3、ZnO、SnO2等，對特定污染物有較高的選擇性。
- 複合材料：如TiO2/活性炭、TiO2/石墨烯、TiO2/沸石等，提高吸附能力和催化效率。

這些材料的開發目標是提高對半導體特有污染物（如HMDS、TEOS等）的降解效率，同時保持較長的使用壽命和穩定性。
結合光觸媒與吸附技術，提高對低濃度VOCs的去除效率：